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電容器柜的熔斷器燒毀的根本原因是電容器切除時(shí)的過電壓和非精準(zhǔn)過零電路的弧光能量形成的，用可控硅投切時(shí)，需配套快速熔斷器保護(hù)可控硅。電路設(shè)計(jì)不完善的話，熔斷器會(huì)頻頻燒壞，壞的更多。一般的補(bǔ)償柜，選用一般熔斷器，靈敏度低，除非嚴(yán)峻過載等故障，相對壞的少些。

希拓電氣STT標(biāo)準(zhǔn)型晶閘管投切模塊技術(shù)源自德國，我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎(chǔ)上，研制出了擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發(fā)電路，吸收電路，保護(hù)電路，智能型散熱片組成。自主專利技術(shù)保證電壓過零觸發(fā)，電流過零斷開，真正實(shí)現(xiàn)投切無涌流，跟隨速度快，有效補(bǔ)償沖擊性負(fù)荷，平均響應(yīng)時(shí)間小于15ms，很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。