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0519-85112622一、 可控硅特點
一般用于TSC技術(shù)的低壓動態(tài)補償用的可控硅開關(guān)都采用大功率晶閘管反并聯(lián)封裝,其額定電流可達數(shù)百安培,反向耐壓可達1800v以上。由于其具有電力電子器件的特性,因此在通過檢測電壓過零點時給可控硅觸發(fā)信號實現(xiàn)無觸點、無涌流投切,并且響應時間快,在半個波形周期內(nèi)就能實現(xiàn)觸發(fā)導通。
由于可控硅屬半導體器件,通態(tài)電流比較大時,會有一定的發(fā)熱。
復合開關(guān)因交流接觸器與可控硅的相互制約導致無法實現(xiàn)較大的通態(tài)電流,反向耐壓只能達到1600v并且投切過程復雜,可控硅開斷頻繁,容易被擊穿,造成故障率較高,一般用于農(nóng)網(wǎng)臺區(qū)的小容量補償。
從安裝上考慮,在配電抗器的前提下,以1000*1000*2200的GCK柜體為例,采用復合開關(guān)安裝12支路,將需要兩面柜體。如采用可控硅作為投切開關(guān)只需一面柜體即可。
希拓電氣 晶閘管(可控硅)投切開關(guān)
? 電壓過零觸發(fā),電流過零斷開,無沖擊電流; 光電隔離,抗干擾能力強,響應時間<15ms
? 專利散熱片,無軸流風機,主動散熱,運行無噪聲,組件免維護,使用壽命長;內(nèi)置過溫(85℃)保護;
? 三色LED信號燈分別顯示開關(guān)通電、運行、故障狀態(tài);兼容性強,可與全球各種規(guī)格無功補償控制器配套。