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可控硅過(guò)零投切

來(lái)源:希拓電氣(上海)有限公司    日期:2019-03-01    瀏覽量:載入中...

一、過(guò)零投切就是:電壓過(guò)零時(shí)投入,電流過(guò)零時(shí)切除。

電壓過(guò)零投入:在電源電壓與電容器電壓相等的瞬間將電容器接入系統(tǒng),這樣就不會(huì)產(chǎn)生涌流。
電流過(guò)零切除:電容器的電壓與電流有90度的相位差,因此在某相電壓的峰值時(shí)刻(某相電流為零)斷開(kāi),就可以實(shí)現(xiàn)電容器電流過(guò)零切除。從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)接點(diǎn)的無(wú)電弧分?jǐn)唷?

二、為什么要在過(guò)零點(diǎn)投入:
1,電壓過(guò)零點(diǎn)投入時(shí),不會(huì)造成電容器和電路中的電壓差和電壓疊加,無(wú)投切的涌流,不會(huì)造成因涌流而發(fā)生的各種問(wèn)題。減小了功率的損耗。延長(zhǎng)了無(wú)功補(bǔ)償裝置的壽命和減小了對(duì)其他用電設(shè)備的沖擊。

2,電流過(guò)零點(diǎn)切除,電容器在進(jìn)行無(wú)功補(bǔ)償時(shí),長(zhǎng)時(shí)間大電流通過(guò)。在過(guò)零點(diǎn)切除不會(huì)造成拉弧等各種因大電流造成的危害。

三、通過(guò)什么設(shè)備達(dá)到過(guò)零: 1、復(fù)合開(kāi)關(guān)2、晶閘管(可控硅開(kāi)關(guān))3、磁保持復(fù)合開(kāi)關(guān)。

復(fù)合開(kāi)關(guān)的基本工作原理是將可控硅開(kāi)關(guān)與磁保持繼電器并接,實(shí)現(xiàn)電壓過(guò)零導(dǎo)通和電流過(guò)零切斷,使復(fù)合開(kāi)關(guān)在接通和斷開(kāi)的瞬間具有可控硅開(kāi)關(guān)的優(yōu)點(diǎn),而在正常接通期間又具有接觸器開(kāi)關(guān)無(wú)功耗的優(yōu)點(diǎn)。其實(shí)現(xiàn)方法是:投入時(shí)是在電壓過(guò)零瞬間可控硅先過(guò)零觸發(fā),穩(wěn)定后再將磁保持繼電器吸合導(dǎo)通;而切出時(shí)是先將磁保持繼電器斷開(kāi),可控硅延時(shí)過(guò)零斷開(kāi),從而實(shí)現(xiàn)電流過(guò)零切除。

四、無(wú)功補(bǔ)償?shù)陌l(fā)展趨勢(shì):

現(xiàn)在很多電力儀器都對(duì)電壓要求很高,無(wú)功補(bǔ)償?shù)内厔?shì)就是過(guò)零投切。


晶閘管投切模塊(三相)

晶閘管投切模塊(三相)技術(shù)源自德國(guó),我司在充分消化吸收德國(guó)技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎(chǔ)上,研制出了擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管,觸發(fā)電路,吸收電路,保護(hù)電路,智能型散熱片組成。自主專(zhuān)利技術(shù)保證電壓過(guò)零觸發(fā),電流過(guò)零斷開(kāi),真正實(shí)現(xiàn)投切無(wú)涌流,跟隨速度快,有效補(bǔ)償沖擊性負(fù)荷,平均響應(yīng)時(shí)間小于18ms,完美取代傳統(tǒng)投切裝置。

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