国产av天堂,福利社影院,欧美综合区,国产九九九九九亚洲精品夜晚

歡迎您來到希拓電氣官網(wǎng)!

承接可控硅開關OEM/ODM

電能質(zhì)量解決方案專業(yè)提供商

售前咨詢熱線:

0519-85112622

行業(yè)新聞

首頁 > 新聞資訊 > 行業(yè)新聞

電容器無功補償方案中投切開關的選擇

來源:希拓電氣(常州)有限公司    日期:2019-09-12    瀏覽量:載入中...

      在400V低壓中,我們常選擇低壓無功補償柜來補償無功,提高功率因數(shù)。而電容器、電抗器、控制器和投切開關就是包含在低壓無功補償柜中的重要元件。這里重點講一下投切開關的選擇問題。


     投切開關里包含三類:電容器投切接觸器、晶閘管開關、復合開關。

     不同的投切開關他的響應速度是不一樣的。可控硅開關投切速度快,接觸器的響應速度慢。不同的投切開關會影響電容器的涌流,以可控硅為基礎的投切開關限制涌流在3%以內(nèi),接觸器是20%以內(nèi)。

     不同投切開關會導致造價成本的差異。從價格角度上來講接觸器相對便宜,可控硅比較貴,從效果上接觸器是最差的,如果是要對涌流的抑制效果,接觸器是最差的,如果現(xiàn)場負載變化非常大,對無功的需求變化是非常大,需要無功補償需求能夠跟得上無功補償?shù)淖兓?,這時可控硅是合適的。

     小結:價格是不一樣,一般來講接觸器是最便宜,可控硅是最貴;但又希望開關快速投切,所以只要討論無功補償方案,一定要考慮現(xiàn)場負載情況和應用場景。


三相可控硅晶閘管投切開關

     希拓電氣晶閘管投切模塊(單相)技術源自德國,我司在充分消化吸收德國技術和先進制造工藝的基礎上,研制出了擁有自主知識產(chǎn)權的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管,觸發(fā)電路,吸收電路,保護電路,智能型散熱片組成。自主專利技術保證電壓過零觸發(fā),電流過零斷開,真正實現(xiàn)投切無涌流,跟隨速度快,有效補償沖擊性負荷,平均響應時間小于18ms,很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。

atk89vJLmkS6LusG3SeNG0+L5UOhcZo8RdUrGWqR8xgngUnsL5bzUfK+x/w3K4Nl9Dokt8Mj/9ZRTBOgF5DEsmQ1/LqrYyaJygCuEZ5IWRxeclB54AoVVIVhKwkocUbUHgIzch26NSW2cR1O2+6yL1mVnp+Vp3LIw1Xwgs0BmFYNQxbMyJM6UBVIaQ278+gnMOraXK2i4UMRdZCRPXJPrKpTLn+mPSGh