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       電力電子技術(shù)的發(fā)展對(duì)電能質(zhì)量的要求越來(lái)越高，而電力電子設(shè)備的增加卻又導(dǎo)致電能質(zhì)量日益惡化，造成諧波，電壓波動(dòng)，三相不平衡等電網(wǎng)污染，尤其是近年來(lái)，由于電網(wǎng)容量的增加，對(duì)電網(wǎng)需求也與目俱增。為充分利用設(shè)備的容量，以自愈式低電壓并聯(lián)電容器為主要元件，接觸器或晶閘管模塊為投切開(kāi)關(guān)的低壓電容無(wú)功補(bǔ)償裝置得到廣泛的應(yīng)用。這些裝置一般是將電容器分為若干組，根據(jù)控制物理量的變化，進(jìn)行電容器的投切。

       但是，若無(wú)功負(fù)荷經(jīng)常波動(dòng)變化，而裝置又需要將cosφ控制在較高水平時(shí)，電容器的投切，往往就比較頻繁，從而可能給電容器造成危害，使其早期損壞。以接觸器為投切開(kāi)關(guān)的低壓電容無(wú)功補(bǔ)償裝置，不宜頻繁進(jìn)行電容器的投切。否則，投切時(shí)所產(chǎn)生的過(guò)電壓和沖擊電流將對(duì)自愈式電容器造成危害，使容量下降，以及絕緣老化加速等，最終使電容器早期損壞。但是晶閘管開(kāi)關(guān)可以解決這個(gè)問(wèn)題。所以正確選用低壓無(wú)功補(bǔ)償電容投切裝置對(duì)于保證低壓無(wú)功補(bǔ)償設(shè)備的可靠性、經(jīng)濟(jì)性及補(bǔ)償效果有著十分重要的意義。

       希拓電氣晶閘管投切模塊(單相)技術(shù)源自德國(guó)，我司在充分消化吸收德國(guó)技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎(chǔ)上，研制出了擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發(fā)電路，吸收電路，保護(hù)電路，智能型散熱片組成。自主專(zhuān)利技術(shù)保證電壓過(guò)零觸發(fā)，電流過(guò)零斷開(kāi)，真正實(shí)現(xiàn)投切無(wú)涌流，跟隨速度快，有效補(bǔ)償沖擊性負(fù)荷，平均響應(yīng)時(shí)間小于18ms，很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。